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フォールト攻撃用検査器Inspector FI

  • 概要
  • 検査器・周辺機器(フォルト攻撃テスト用)

検査器・周辺機器(フォルト攻撃テスト用)

Inspector FIを構成する検査器・周辺機器をご紹介します。

検査器・周辺機器ラインナップ

Spider
(組込デバイス向け)

組込デバイス向けの高出力検査器

  • 電圧グリッチを印加する検査を実行
  • クロックグリッチを挿入する検査を実行
Spider(組込デバイス向け)

Spiderは、通信とグリッチパターン生成のための単一の制御ポイントを作成することで、サイドチャネル解析(SCA)とフォルト注入(FI)での複雑さを軽減します。
組み込み機器向けのサイドチャネルまたはフォルト注入テストのためのセットアップを作成するのは大変な苦労があります。機能を実行し、WarmまたはColdリセット、グリッチを行うなどの特定のプログラムのフローを維持することは簡単なことではeありません。

Spiderは、(複雑な)組み込みターゲットと対話するための汎用的なワークベンチです。カスタムまたは組み込みインターフェイスのすべてのI/ Oとリセット線で単一の制御ポイントを作成することで、サイドチャネル解析(SCA)やフォールト注入(FI)におけるセットアップの複雑さを低減します。

Inspectorソフトウェアから制御したり、スタンドアロンデバイスとして利用することもできます。Spiderはまた、JTAG、I2C、SPIなどのプロトコルに関連した信号を読んだり応答でき、ターゲットハードウェアの内部処理状態への情報チャネルを提供することができます。

特徴

  • FPGAに2つの簡単なプログラム可能な有限状態マシンを実装
  • ステートマシンの並列処理
  • FPGAプログラミングの知識は必要ありません
  • 64のIOライン(1ステートマシンあたり32)
  • 6つの独立したユーザ定義の出力電圧(0V〜5V)
  • 125MHzの繰り返し率(4nsパルス)
  • Inspectorソフトウェアで使いやすい
  • 仮想COMポートを使用して、スタンドアローンでの使用

VC Glitcher
(グリッチ生成器)

ICカードに最適な
Inspector FIソリューションの中核検査器

  • 電圧グリッチを印加する検査を実行
  • クロックグリッチを挿入する検査を実行
VC Glitcher(グリッチ生成器)

グリッチとは、「望ましく無い瞬間的な電圧などの入出力」を意味し、当機器はフォールトインジェクション攻撃において中核となる「電圧グリッチ」と「クロックグリッチ」を発生させる回路を持ちます。
超高速FPGA技術を使用して2ナノ秒のフォルトを発生させることができ、ユーザによって容易にプログラム可能です。

特徴

  • FPGA技術を使用して非常に短いグリッチを生成します
  • 摂動命令セットを持つ任意のテストシナリオを簡単に作成できます
  • ICカードの動作を正確にロギングすることでのテスト再現性が上がります
  • 大規模な摂動パラメータセットの自動テストによるテスト時間の短縮
  • Diode Laser Stationと統合し、光パルスを制御するチャンネルがあります
  • icWavesとの統合を可能にします
  • 調整可能な電流制限を使用してカードの損傷を防ぎます
  • 一貫性および完全摂動試験が高いレベルに到達します

Glitch Amplifier Ⅱ
(グリッチ増幅器)

グリッチ発生器と接続し
より広範囲のフォールトインジェクション攻撃テストを作成

Glitch Amplifier Ⅱ(グリッチ増幅器)

ほとんどの組み込みデバイスに対するフォルト攻撃には、ICカードよりもはるかに多くの電力を必要とします。
Glitch Amplifier Ⅱはこの要件を満たすように設計され、より広い範囲のフォールトインジェクション攻撃テストを作ります。
Glitch Amplifier Ⅱは簡単にVC Glitcherに接続され、グリッチシナリオのパラメータ化と設定は、Inspector FIソフトウェアから行なうことが可能です。

特徴

  • 最大1.5A(ピークピーク値)まで増幅
  • FPGAやSoCなどの組み込み機器を対象に
  • 接続と制御が簡単

High-Power Glitch Amplifier
(グリッチ増幅器・高出力型)

グリッチ発生器と接続し
電流を10Aまで消費する対象に向けた
フォールトインジェクション攻撃テストを作成

High-Power Glitch Amplifier(グリッチ増幅器・高出力型)

電源を使用して組み込みデバイスにフォルトを注入するには、専用の装置を必要とします。信頼性のあるグリッチをターゲットに送るために、電源は最小限のノイズで十分な電力を供給し、急峻な電圧スパイクを生成するのに十分な電力を有する必要があります。
同時に、関心のある分野を特定しターゲットの振る舞いを見るために、消費電力を監視することは必要です。High-Power Glitch Amplifierは、これらの機能をスタンドアロンコンポーネントで組み合わせ、電流を10Aまで消費するターゲットための機能を兼ね備えています。

特徴

  • EM Probe StationとicWavesで動作する互換性

DPSS Lasers(532nm and 1064)
(赤色/NIRフォールト注入用レーザー)

レーザーによるフォールトインジェクション攻撃検査

  • 裏面チップテスト用の透過性の高い近赤外1,064nmのレーザー
  • 表面テストのための可視光532mmのレーザー
DPSS Lasers(532nm and 1064)(赤色/NIRフォールト注入用レーザー)

新しいDPSSレーザーは、レーザーカッターシステムより優れたフォルト攻撃機能を備えた信頼性の高いYVO4レーザーです。
メリットとしては、短いトリガー時間(<1マイクロ秒)、電源出力の制御が容易でメンテナンスがしやすいことにあります。 DPSSは、さらに短いパルス持続時間(5kW)を提供します。
裏面チップテスト用の1064nmと、表(おもて)面テストのための532nmの波長のDPSSレーザを提供します。

特徴

  • シリアルインタフェースは外部利用できます(例えば、ICカードI/ Oを監視したり、組み込み機器を制御するため)

Infrared Ring Light
(赤外線高感度カメラと光源)

攻撃の準備のために基板のレイアウトを把握

  • 赤外線によりSi基板を透過し裏面のレイアウトを確認
  • 攻撃ポイントの発見に役立つ
Infrared Ring Light(赤外線高感度カメラと光源)

レーザーによるフォルトを注入するためのチップの背面攻撃は、おもて面攻撃に対して利点を持っています。しかし、可視光ではシリコン基板がレイアウトを見るのを邪魔します。試験対象デバイスにレイアウト情報をマッピングする他の情報がなければ、関心ある領域を識別することが困難となります。
このDiode Laser Stationのオプションでは、ユーザーが基板に目を通すことができるよう、赤外線感度カメラと光源を使用することができます。アナリストは、攻撃の場所を見つけるための視覚的なマーカーを容易に認識することができます。

特徴

  • 簡単に興味のある場所を(再)発見できます
  • ステッチ時の裏面ナビゲーションの概要マップを作成するのに役立ちます
  • きめの細かい研磨とエッチングの必要はありません
  • 任意の倍率レベル(5倍 – 50倍で試験)で使用可能
  • IR感受性カメラ、IR光源及び調節可能なフォーカスリングを含みます
  • 既存のレーザーセットアップに適合します

EM-FI Transient Probe
(高速EMパルス誘発プローブ)

従来のFIに対策済の機器に対する
新たな攻撃テスト

  • 高速で高出力のEMパルスを特定箇所に誘発
  • 従来型のフォルト攻撃対策をバイパス
EM-FI Transient Probe(高速EMパルス誘発プローブ)

EM-FI Transient Probeは、局所グリッチ向けの高速パルスEMフォルト攻撃のためのプローブです。光レーザーによるフォルト攻撃から守るため、チップ・パッケージはますます改善され、洗練された光感応センサーなどの対策が施されているなか、Riscure社は新しいフォルト注入シナリオテストの方向性を提示します。
EM-FI Transient Probeは、高速でかつ高出力のEMパルスを、ユーザーが定義するチップの特定の場所に誘発します。
EM-FIのテストでは従来の対策をバイパスさせることができ、ハイエンドなセキュリティテストの次のステップを提供します。

特徴

  • チップのパッケージを剥がす必要はありません
  • EMグリッチは光センサーによって検出されません
  • ターゲットデバイスの論理セルの値を反転させます
  • レーザーグリッチと比較してチップが損傷する可能性は低いです
  • 調節可能な高出力パルス
  • チップ上でさまざまな電磁界を発生させるため、異なるコイルが含まれます
  • 正確かつ慎重なプローブ位置決めのためのカメラオプション
  • 高速かつ短パルスがソフトウェアから設定可能
  • 高速かつ予測可能な応答をトリガできます
  • EM Probe StationとDiode Laser Stationの自動スキャンに適合します

Diode Laser Station
(レーザー攻撃検査器)

赤と近赤外の強力なレーザーでテスト

  • 赤色レーザーはICカードチップの表面に
  • 近赤外レーザーは裏面検査に
Diode Laser Station(レーザー攻撃検査器)

レーザーフォルト攻撃に対してチップを保護することはICカードのセキュリティにおいて重要です。
Diode Laser Stationでは、ユーザーはスマートカードがレーザー攻撃に対してセキュリティが担保されているかどうかを評価するために、最高の国際基準を満たす高度なレーザーフォールト攻撃を行うことができます。

特徴

  • 近赤外線ダイオードレーザーは、背面攻撃であるシリコン基板への浸透を可能にします
  • チップの表面の攻撃のための強力な赤色ダイオードレーザー
  • 小さなスポットサイズ
  • 高速マルチグリッチ
  • 正確なデジタルスケーリング
  • 電動XYステージによるチップ表面の自動スキャンの統合
  • レーザースポットとチップの場所のカメラによる検査

Multi-Area Diode Laser Station
(レーザー攻撃検査器/複数箇所同時対応)

同時に複数箇所にレーザー攻撃を実施

Multi-Area Diode Laser Station(レーザー攻撃検査器/複数箇所同時対応)

フォルト注入対策の安全度を高めるためには、複数の場所をターゲットにした攻撃に対応する必要があります。
当製品では、二つ以上のスポット、例えば暗号プロセッサと制御CPUを同時に攻撃するといったテストが可能です。

特徴

  • 光ファイバーオプションが利用可能
  • 同一のレーザ光源、ハイエンドスペック
  • 3軸の自動スキャン
  • EMVCoとCC(Common Criteria)の要件に準拠
  • Inspectorソフトウェアと完全に統合

Blue Laser(445nm)
(青色ダイオードレーザー)

Diode Laser Stationに搭載し
レーザー攻撃を実施

Blue Laser(445nm)(青色ダイオードレーザー)

445nmの青色ダイオードレーザーを最近の出版物に基づいてリリースしました。ICカードのシールドのために求められるいくつかの特性には、新たな攻撃経路をもたらすことができるものがあります。 ハイエンドな特性を有するRiscure社の赤色およびIRダイオードレーザと同様に、青色ダイオードレーザーは容易に他の種類のレーザーカッターのセットアップと共にDiode Laser Stationを利用することができます。

特徴

  • ICカードをテストするための設計
  • フロントサイド攻撃
  • より多くの電力のための集中スポット
  • 4×1.4μmのスポットサイズ
  • 3Wの445nmダイオード
  • 高速25 MHzの繰り返しグリッチ
  • 簡単なインターフェース
  • Diode Laser Stationとの統合
  • ほとんどのレーザーカッター顕微鏡との互換性

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